Toshiba針對繼電器驅動(dòng)器推出新款小型雙通道MOSFET SSM6N357R
2018-06-20
東芝電子元件及儲存裝置株式會(huì )社宣布推出小型雙通道MOSFET SSM6N357R,此款新產(chǎn)品在漏極(Drain)和閘極端子(Gate terminals)之間有內建二極管(Diode)。此IC適用于驅動(dòng)機械繼電器(Mechanical relays)等電感負載。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。
SSM6N357R整合下拉電阻器(pull-down resistor)、串聯(lián)電阻器和穩壓二極管(Zener diode),助于減少零件數量并節省PCB板空間。另外,此IC采用雙通道式封裝(2 in 1),與采用兩個(gè)SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)單通道式封裝產(chǎn)品的替代方案相比,其安裝面積減小42%。
SSM6N357R采用業(yè)界標準的TSOP6F等級封裝,具備3.0V的低工作電壓并且通過(guò)了AEC-Q101認證,適合車(chē)用及許多其他應用。
應用方面
- 車(chē)用繼電器和螺線(xiàn)管控制(Solenoid control)
- 工業(yè)應用繼電器和螺線(xiàn)管控制(Solenoid control)
- 辦公設備離合器控制(Clutch control)
產(chǎn)品特點(diǎn)
- 可節省PCB空間且減少零件數量(實(shí)現下拉電阻器,串聯(lián)電阻器和穩壓器二極管的整合)
- 3.0V低工作電壓
- 雙通道式封裝(2 in 1)
- 通過(guò)AEC-Q101認證
主要規格
項目 | 特性 | ||
絕對最大額定值 | 漏源極電壓 | 60 | |
閘源極電壓 | ±12 | ||
漏極電流 | 0.65 | ||
電器特性 | 漏源極導通電組 | |VGS|=3.0V | 2400 |
|VGS|=5.0V | 1800 | ||
閘極總電荷 | 1.5 | ||
輸入電容 | 43 | ||
封裝 | TSOP6F | 2.9mm×2.8mm; |
Equivalent Circuits