放置在降壓調節器高端
對于降壓調節器，電流檢測電阻有多個(gè)位置可以放置。當放置在頂部MOSFET的高端時(shí)（如圖1所示），它會(huì )在頂部MOSFET導通時(shí)檢測峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當頂部MOSFET關(guān)斷且底部MOSFET導通時(shí)，它不測量電感電流。
圖1.帶高端RSENSE的降壓轉換器
在這種配置中，電流檢測可能有很高的噪聲，原因是頂部MOSFET的導通邊沿具有很強的開(kāi)關(guān)電壓振蕩。為使這種影響最小，需要一個(gè)較長(cháng)的電流比較器消隱時(shí)間（比較器忽略輸入的時(shí)間）。這會(huì )限制最小開(kāi)關(guān)導通時(shí)間，并且可能限制最小占空比（占空比 = VOUT/VIN）和最大轉換器降壓比。注意在高端配置中，電流信號可能位于非常大的共模電壓(VIN)之上。
放置在降壓調節器低端
圖2中，檢測電阻位于底部MOSFET下方。在這種配置中，它檢測谷值模式電流。為了進(jìn)一步降低功率損耗并節省元件成本，底部FET RDS（ON）可用來(lái)檢測電流，而不必使用外部電流檢測電阻RSENSE。
圖2.帶低端RSENSE的降壓轉換器
這種配置通常用于谷值模式控制的電源。它對噪聲可能也很敏感，但在這種情況下，它在占空比較大時(shí)很敏感。谷值模式控制的降壓轉換器支持高降壓比，但由于其開(kāi)關(guān)導通時(shí)間是固定/受控的，故最大占空比有限。
降壓調節器與電感串聯(lián)
圖3中，電流檢測電阻RSENSE與電感串聯(lián)，因此可以檢測連續電感電流，此電流可用于監測平均電流以及峰值或谷值電流。所以，此配置支持峰值、谷值或平均電流模式控制。
圖3.RSENSE與電感串聯(lián)
這種檢測方法可提供最佳的信噪比性能。外部RSENSE通?？商峁┓浅蚀_的電流檢測信號，以實(shí)現精確的限流和均流。但是，RSENSE也會(huì )引起額外的功率損耗和元件成本。為了減少功率損耗和成本，可以利用電感線(xiàn)圈直流電阻(DCR)檢測電流，而不使用外部RSENSE。
放置在升壓和反相調節器的高端
對于升壓調節器，檢測電阻可以與電感串聯(lián)，以提供高端檢測（圖4）。
圖4.帶高端RSENSE的升壓轉換器
升壓轉換器具有連續輸入電流，因此會(huì )產(chǎn)生三角波形并持續監測電流。
放置在升壓和反相調節器的低端
檢測電阻也可以放在底部MOSFET的低端，如圖5所示。此處監測峰值開(kāi)關(guān)電流（也是峰值電感電流），每半個(gè)周期產(chǎn)生一個(gè)電流波形。MOSFET開(kāi)關(guān)切換導致電流信號具有很強的開(kāi)關(guān)噪聲。
圖5.帶低端RSENSE的升壓轉換器
SENSE電阻放置在升降壓轉換器低端或與電感串聯(lián)
圖6顯示了一個(gè)4開(kāi)關(guān)升降壓轉換器，其檢測電阻位于低端。當輸入電壓遠高于輸出電壓時(shí)，轉換器工作在降壓模式；當輸入電壓遠低于輸出電壓時(shí)，轉換器工作在升壓模式。在此電路中，檢測電阻位于4開(kāi)關(guān)H橋配置的底部。器件的模式（降壓模式或升壓模式）決定了監測的電流。
圖6.RSENSE位于低端的升降壓轉換器
在降壓模式下（開(kāi)關(guān)D一直導通，開(kāi)關(guān)C一直關(guān)斷），檢測電阻監測底部開(kāi)關(guān)B電流，電源用作谷值電流模式降壓轉換器。
在升壓模式下（開(kāi)關(guān)A一直導通，開(kāi)關(guān)B一直關(guān)斷），檢測電阻與底部MOSFET (C)串聯(lián)，并在電感電流上升時(shí)測量峰值電流。在這種模式下，由于不監測谷值電感電流，因此當電源處于輕負載狀態(tài)時(shí)，很難檢測負電感電流。負電感電流意味著(zhù)電能從輸出端傳回輸入端，但由于這種傳輸會(huì )有損耗，故效率會(huì )受損。對于電池供電系統等應用，輕負載效率很重要，這種電流檢測方法不合需要。
圖7電路解決了這個(gè)問(wèn)題，其將檢測電阻與電感串聯(lián)，從而在降壓和升壓模式下均能連續測量電感電流信號。由于電流檢測RSENSE連接到具有高開(kāi)關(guān)噪聲的SW1節點(diǎn)，因此需要精心設計控制器IC，使內部電流比較器有足夠長(cháng)的消隱時(shí)間。
圖7.LT8390升降壓轉換器，RSENSE與電感串聯(lián)