東芝電子元件及儲存裝置株式會(huì )社宣布推出小型雙通道MOSFET SSM6N357R，此款新產(chǎn)品在漏極(Drain)和閘極端子(Gate terminals)之間有內建二極管(Diode)。此IC適用于驅動(dòng)機械繼電器(Mechanical relays)等電感負載。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。

SSM6N357R整合下拉電阻器(pull-down resistor)、串聯(lián)電阻器和穩壓二極管(Zener diode)，助于減少零件數量并節省PCB板空間。另外，此IC采用雙通道式封裝（2 in 1），與采用兩個(gè)SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)單通道式封裝產(chǎn)品的替代方案相比，其安裝面積減小42%。

SSM6N357R采用業(yè)界標準的TSOP6F等級封裝，具備3.0V的低工作電壓并且通過(guò)了AEC-Q101認證，適合車(chē)用及許多其他應用。

應用方面

- 車(chē)用繼電器和螺線(xiàn)管控制(Solenoid control)

- 工業(yè)應用繼電器和螺線(xiàn)管控制(Solenoid control)

-  辦公設備離合器控制(Clutch control)

產(chǎn)品特點(diǎn)

- 可節省PCB空間且減少零件數量(實(shí)現下拉電阻器，串聯(lián)電阻器和穩壓器二極管的整合)

-  3.0V低工作電壓

-  雙通道式封裝(2 in 1)

-  通過(guò)AEC-Q101認證

主要規格

項目

特性

絕對最大額定值

漏源極電壓
VDSS (V)

60

閘源極電壓
VGSS (V)

±12

漏極電流
ID (A)

0.65

電器特性

漏源極導通電組
RDS(ON) max (mΩ)

|VGS|=3.0V

2400

|VGS|=5.0V

1800

閘極總電荷
Qg typ. (nC)

1.5

輸入電容
Ciss typ. (pF)

43

封裝

TSOP6F

2.9mm×2.8mm;
t=0.8mm

 

Equivalent Circuits